SEARCH
Search Details
NISHIMURA Tomoaki
Research Center of Ion Beam Technology
Professor
Researchmap URL
https://researchmap.jp/Nishimura_IonBeam
Researcher information
■ Degree
■ Research Keyword
■ Field Of Study
■ Research Keyword
■ Field Of Study
- Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering), Electric/electronic material engineering, Electronic materials/ Electric materials
- Nanotechnology/Materials, Thin-film surfaces and interfaces, Thin Film and Surface Interface Physical Properties
- Natural sciences, Semiconductors, optical and atomic physics
Career
■ Career
- Apr. 2012 - Present
法政大学 イオンビーム工学研究所 教授 - Apr. 2009 - Mar. 2012
法政大学 イオンビーム工学研究所 准教授 - Apr. 2004 - Mar. 2009
立命館大学 総合理工学部 専任講師 - Nov. 2002 - Mar. 2004
産業技術総合研究所 特別研究員 - Apr. 2002 - Oct. 2002
Rutgers University, Postdoctoral Fellow - Apr. 1999 - Mar. 2002
日本学術振興会 特別研究員 - Apr. 1996 - Mar. 1999
立命館大学 助手
- Apr. 1996 - Apr. 1999, Ritsumeikan University, Graduate School, Division of Science and Engineering, 総合理工学
Research activity information
■ Paper
■ Lectures, oral presentations, etc.
■ Research Themes
- Analytical modeling of atomic-number-dependent electronic stopping cross sections in Si, C, 4H-SiC, Al, Ni, and Ag
Kazuhiro Mochizuki; Tomoaki Nishimura; Tomoyoshi Mishima
Japanese Journal of Applied Physics, 01 Apr. 2025 - Gamma-ray induced luminescence from diamonds
Toshihiro Nakamura; Tomoaki Nishimura; Kazuo Kuriyama; Tohru Nakamura; Atsushi Kinomura
Solid State Communications, Feb. 2025 - Comparison of electronic stopping powers of 4H-SiC and 2H-GaN for low-velocity 〈0001〉 channeled ions with atomic numbers of 12 to 15
Kazuhiro Mochizuki; Tomoaki Nishimura; Tomoyoshi Mishima
Japanese Journal of Applied Physics, 02 Sep. 2024 - Modified El-Hoshy−Gibbons model for electronic stopping cross sections in Si and SiC for low-velocity ions with atomic numbers between 5 and 15
Kazuhiro Mochizuki; Tomoaki Nishimura; Tomoyoshi Mishima
Japanese Journal of Applied Physics, 01 May 2024 - Comparison of electronic stopping cross sections for channeled implantation of Al ions between the 〈0001〉 and 〈11 2¯ 3〉 directions in 4H-SiC
Kazuhiro Mochizuki; Tomoaki Nishimura; Tomoyoshi Mishima
Japanese Journal of Applied Physics, 01 Jan. 2024 - Estimation of Electronic Stopping Cross Sections of 4H-SiC for 2–26 MeV Al Random-Ion Implantations
K. Mochizuki; T. Nishimura; T. Mishima
Japanese Journal of Applied Physics, 2023, [Reviewed] - Re-evaluation of energy dependence of electronic stopping cross-section for Al ions into 4H-SiC(0001)
K. Mochizuki; T. Nishimura; T. Mishima
Jpn. J. Appl. Phys., 2022, [Reviewed] - Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars
S. Sato; S. Li; A. D. Greentree; M. Deki; T. Nishimura; H. Watanabe; S. Nitta; Y. Honda; H. Amano; B. C. Gibson; T. Oshima
Sci. Rep., 2022, [Reviewed] - Changing the structural and electronic properties of graphene and related two-dimensional materials using ion beam irradiation with NaCl sacrificial layers
T. Hidaka; K. Nakamura; H. Yoshimoto; R. Suzuki; Y. Zhao; Y. Ishiguro; T. Nishimura; K. Takai
Carbon Reports, 2022, [Reviewed] - Simulation of channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride
Tomoaki Nishimura; Tetsu Kachi
Applied Physics Express, Sep. 2021, [Reviewed]
Lead, Corresponding - Channeled implantation of magnesium ions in gallium nitride for deep and low-damage doping
Tomoaki Nishimura; Kiyoji Ikeda; Tetsu Kachi
Applied Physics Express, May 2021, [Reviewed]
Lead, Last, Corresponding - Gamma-ray induced photo emission from GaN single crystal wafer
T. Nakamura; T. Nishimura; K. Kuriyama; T. Nakamura; A. Kinomura
Applied Physics Letters, 22 Jan. 2021, [Reviewed] - Design and demonstration of nearly-ideal edge termination for GaN p-n junction using Mg-implanted field Limiting rings
M. Matys; T. Ishida; K. P. Nam; H. Sakurai; K. Kataoka; T. Narita; T. Uesugi; M. Bockowski; T. Nishimura; J. Suda; T. Kachi
Appl. Phys. Express, 2021, [Reviewed] - Gamma-ray induced photo emission from ZnO single crystal wafer: Comparison with GaN
T. Nakamura; T. Nishimura; K. Kuriyama; T. Nakamura; A. Kinomura
Solid State Communications, 2021, [Reviewed] - Optical properties of neodymium ions in nanoscale regions of gallium nitride
Sato S.-I; Deki M; Watanabe H; Nitta S; Honda Y; Nishimura T; Gibson B.C; Greentree A.D; Amano H; Ohshima T
Optical Materials Express, 2020, [Reviewed] - Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures
Sato S.-I; Deki M; Nishimura T; Okada H; Watanabe H; Nitta S; Honda Y; Amano H; Ohshima T
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2020, [Reviewed] - Evaluation of lattice displacement and electrical property of Zn-ion implanted GaN by Rutherford backscattering spectrometry
K. Kubota; T. Nishimura; K. Kuriyama; T. Nakamura
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2019, [Reviewed] - Origin of low resistivity, Solid State Communications
J. Tashiro; Y. Torita; T. Nishimura; K. Kuriyama; K. Kushida; Q. Xu; A. Kinomura
Solid State Communications, 2019, [Reviewed] - Reduction in contact resistance and structural evaluation of Al/Ti electrodes on Si-implanted GaN
Nishimura T.; Kasai T.; Mishima T.; Kuriyama K.; Nakamura T.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2019, [Reviewed] - Ion implanted GaN MISFETs fabricated in Mg implanted layers activated by conventional rapid thermal annealing
Yoshino M.; Sugamata K.; Ikeda K.; Nishimura T.; Kuriyama K.; Nakamura T.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2019, [Reviewed] - Fully ion implanted normally-off GaN DMOSFETs with ALD-Al2O3 gate dielectrics
Yoshino M.; Ando Y.; Deki M.; Toyabe T.; Kuriyama K.; Honda Y.; Nishimura T.; Amano H.; Kachi T.; Nakamura T.
Materials, 2019, [Reviewed] - Photoluminescence properties of praseodymium ions implanted into submicron regions in gallium nitride
Sato S.-I; Deki M; Nakamura T; Nishimura T; Stavrevski D; Greentree A.D; Gibson B.C; Ohshima T
Japanese Journal of Applied Physics, 2019, [Reviewed] - イオンビーム工学研究所のRBS測定システム
西村智朗
法政大学イオンビーム工学研究所報告, Feb. 2018 - Evaluation of lattice displacement in Mg – Implanted GaN by Rutherford backscattering spectroscopy
Nishikata N.; Kushida K.; Nishimura T.; Mishima T.; Kuriyama K.; Nakamura T.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2017, [Reviewed] - Impact of Mg-ion implantation with various fluence ranges on optical properties of n-type GaN
Tsuge H.; Ikeda K.; Kato S.; Nishimura T.; Nakamura T.; Kuriyama K.; Mishima T.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2017, [Reviewed] - Persistent photoconductivity in hydrogen ion-implanted KNbO3 bulk single crystal
Tsuruoka R.; Shinkawa A.; Nishimura T.; Tanuma C.; Kuriyama K.; Kushida K.
Journal of Physics: Conference Series, 2017, [Reviewed] - Persistent photoconductivity in oxygen-ion implanted KNbO3 bulk single crystal
R. Tsuruoka; A. Shinkawa; T. Nishimura; C. Tanuma; K. Kuriyama; K. Kushida
SOLID STATE COMMUNICATIONS, Dec. 2016, [Reviewed] - Hydrogen ion-implantation induced low resistive layer in KNbO3 bulk single crystal: Evaluation by elastic recoil detection analysis
A. Shinkawa; Y. Shibasaki; T. Nishimura; C. Tanuma; K. Kuriyama
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Mar. 2016, [Reviewed] - Computer simulation program for medium-energy ion scattering and Rutherford backscattering spectrometry
Tomoaki Nishimura
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Mar. 2016, [Reviewed] - Hydrogen interstitial in H-ion implanted ZnO bulk single crystals: Evaluation by elastic recoil detection analysis and electron paramagnetic resonance
T. Kaida; K. Kamioka; T. Nishimura; K. Kuriyama; K. Kushida; A. Kinomura
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Dec. 2015, [Reviewed] - Nitrogen ion implantation isolation technology for normally-off GaN MISFETs on p-GaN substrate
Kasai, H.; Ogawa, H.; Nishimura, T.; Nakamura, T.
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2014 - Self-Organized Travelling-Zone-Melting Growth of a-Ge/Sn/c-Ge Stacked-Structures for High-Quality GeSn
Ryo Matsumura; Yuki Kinoshita; Yuki Tojo; Taizoh Sadoh; Tomoaki Nishimura; Masanobu Miyao
ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, [Reviewed] - Regrowth characteristics of SiGe/Si by IBIEC and SPEG
K. Awane; Y. Kokubo; M. Yomogida; T. Nishimura; Y. Yamamoto
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Jul. 2013 - Effects of surface micromesas on reverse leakage current in InGaN/GaN Schottky barriers
Wei Lu; Tomoaki Nishimura; Lingquan (Dennis) Wang; Tohru Nakamura; Paul K. L. Yu; Peter M. Asbeck
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Aug. 2012, [Reviewed] - Cross sections for medium energy He ions scattered from Hf and Au atoms
Tomoaki Nishimura; Kei Mitsuhara; Anton Visikovskiy; Yoshiaki Kido
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Jun. 2012, [Reviewed] - Electrical and structural properties of polycrystalline 3C-SiC layer regrown from amorphized 4H-SiC(0001) by P and Al ion implantations
Tomoaki Nishimura; Masataka Satoh; Takeshi Jinushi; Yukio Saitou; Tohru Nakamura
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Feb. 2012, [Reviewed] - Site identification of GaN using preferential scattering effect along [1 -1 0 0] axis
T. Nishimura; M. Satoh; K. Nomoto; T. Nakamura; T. Mishima
Nuclear Instruments & Methods B, 01 Jun. 2010, [Reviewed] - Electronic charge transfer between Au nano-particles and TiO2-terminated SrTiO3(001) substrate
K. Mitsuhara; Y. Kitsudo; H. Matsumoto; A. Visikovskiy; M. Takizawa; T. Nishimura; T. Akita; and Y. Kido
Surface Science, 15 Mar. 2010 - Dynamical Casimir effect for TE and TM modes in resonant cavity bisected by a plasma sheet
W. Naylor; S. Matsuki; T. Nishimura; and Y. Kido
Physical Review A, 01 Aug. 2009, [Reviewed] - Final state effect for Au 4f line from gold-nano-particles grown on oxides and HOPG supports
Y. Kitsudo; A. Iwamoto; H. Matsumoto; K. Mitsuhara; T. Nishimura; M. Takizawa; T. Akita; Y. Maeda; and Y. Kido
Surface Science, 01 Jul. 2009, [Reviewed] - Charge exchange of medium energy H and He ions emerging from solid surfaces
Y. Kitsudo; K. Shibuya; T. Nishimura; Y. Hoshino; I. Vickridge; Y. Kido
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Feb. 2009, [Reviewed] - Structures of clean and oxygen-adsorbed SiC(0001)-(3 x 3) surfaces
Y. Hoshino; T. Okawa; M. Shibuya; T. Nishimura; Y. Kido
SURFACE SCIENCE, Nov. 2008, [Reviewed] - Practical design for improving the sensitivity to search for dark matter axions with Rydberg atoms
M. Shibata; T. Arai; A. Fukuda; H. Funahashi; T. Haseyama; S. Ikeda; K. Imai; Y. Isozumi; T. Kato; Y. Kido; A. Matsubara; S. Matsuki; T. Mizusaki; R. Nakanishi; T. Nishimura; D. Ohsawa; A. Sawada; Y. Takahashi; M. Tosaki; S. Yamada; K. Yamamoto
JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS, May 2008, [Reviewed] - A high-sensitivity microwave-single-photon detector with Rydberg atoms at low temperature
T. Haseyama; T. Arai; A. Fukuda; H. Funahashi; S. Ikeda; K. Imai; Y. Isozumi; T. Kato; Y. Kido; A. Matsubara; S. Matsuki; T. Mizusaki; T. Nishimura; D. Ohsawa; A. Sawada; Y. Takahashi; M. Tosaki; K. Yamamoto
JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS, Feb. 2008, [Reviewed] - Erratum: Oxidation kinetics for Ni(111) and the structure of the oxide layers (Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics (2007) 75, (033413))
Okazawa, T.; Nishizawa, T.; Nishimura, T.; Kido, Y.
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2008 - Structure of an ultrathin aluminum oxide layer grown on a NiAl(110) substrate
T. Nishimura; Y. Hoshino; T. Okazawa; Y. Kido
PHYSICAL REVIEW B, 2008, [Reviewed] - Asymmetric line shapes for medium energy H and He ions undergoing a large-angle collision
M. Hazama; Y. Kitsudo; T. Nishimura; Y. Hoshino; P. L. Grande; G. Schiwietz; Y. Kido
PHYSICAL REVIEW B, 2008, [Reviewed] - Atomic and electronic structures of 6H-SiC(0001)-3 x 3 surfaces
F. Takeuchi; R. Fukuyama; Y. Hoshino; T. Nishimura; Y. Kido
SURFACE SCIENCE, May 2007, [Reviewed] - Charge states of medium energy He ions scattered from single and poly-crystal surfaces
T. Okazawa; K. Shibuya; T. Nishimura; Y. Kido
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Mar. 2007, [Reviewed] - Kinetics of oxynitridation of 6H-SiC(1 1 (2)over-bar 0) and the interface structure analyzed by ion scattering and photoelectron spectroscopy
T. Okawa; R. Fukuyama; Y. Hoshino; T. Nishimura; Y. Kido
SURFACE SCIENCE, Feb. 2007, [Reviewed] - Oxidation kinetics for Ni(111) and the structure of the oxide layers
T. Okazawa; T. Nishizawa; T. Nishimura; Y. Kido
PHYSICAL REVIEW B, 2007, [Reviewed] - Performance improvement of HfAlOxN n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by controlling the bonding configuration of nitrogen atoms coordinated to Hf atoms
Kunihiko Iwamoto; Tomoaki Nishimura; Akio Ohta; Koji Tominaga; Toshihide Nabatame; Seiichi Miyazaki; Akira Toriumi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2007, [Reviewed] - Growth mode and electronic structure of Au nano-clusters on NiO(001) and TiO2(110)
T Okazawa; M Fujiwara; T Nishimura; T Akita; M Kohyama; Y Kido
SURFACE SCIENCE, Mar. 2006, [Reviewed] - Initial growth processes of ultra-thin Ni-layers on Si(111) and electronic structure of epitaxially grown NiSi2
T Nishimura; J Takeda; Y Asami; Y Hoshino; Y Kido
SURFACE SCIENCE, Aug. 2005, [Reviewed] - Atomic and electronic structures of an ultrathin Ni-deposited SiC(0001)-2×2 surface
Hoshino, Y.; Matsubara, Y.; Nishimura, T.; Kido, Y.
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2005 - Dynamic response of target electrons upon low and medium energy ion impact
T Okazawa; Y Hoshino; T Nishimura; K Umezawa; S Nakanishi; Y Kido
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2005, [Reviewed] - Atomic structure of Si-rich 6H-SiC(000(1)over-bar)-2 X 2 surface
Y Hoshino; R Fukuyama; Y Matsubara; T Nishimura; S Tanaka; M Kohyama; Y Kido
PHYSICAL REVIEW B, 2005, [Reviewed] - Electronic structure of the topmost tenfold surface of decagonal Al-Ni-Co quasicrystal
T Suzuki; HR Sharma; T Nishimura; M Shimoda; Y Yamauchi; AP Tsai
PHYSICAL REVIEW B, 2005, [Reviewed] - Atomic scale characterization of HfO2/Al2O3 thin films grown on nitrided and oxidized Si substrates
T Nishimura; T Okazawa; Y Hoshino; Y Kido; K Iwamoto; K Tominaga; T Nabatame; T Yasuda; A Toriumi
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Dec. 2004, [Reviewed] - Roles of nitrogen incorporation in HfAlOx(N) gate dielectrics for suppression of boron penetration
T Nabatame; K Iwamoto; K Yamamoto; K Tominaga; H Hisamatsu; M Ohno; K Akiyama; M Ikeda; T Nishimura; H Ota; T Horikawa; A Toriumi
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, Jul. 2004, [Reviewed] - Effect of nitric oxide annealing on the interface trap density near the conduction bandedge of 4H-SiC at the oxide/(11(2)over-bar0) 4H-SiC interface
S Dhar; YW Song; LC Feldman; T Isaacs-Smith; CC Tin; Williams, JR; G Chung; T Nishimura; D Starodub; T Gustafsson; E Garfunkel
APPLIED PHYSICS LETTERS, Mar. 2004, [Reviewed] - Thermal decomposition behavior of the HfO2/SiO2/Si system
S Sayan; E Garfunkel; T Nishimura; WH Schulte; T Gustafsson; GD Wilk
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jul. 2003, [Reviewed] - Structure change of Ni(1 ML)/Si(111) by post-annealing observed by atomic force microscopy, ion scattering and photoelectron spectroscopy
Y Hoshino; T Nishimura; Y Taki; Y Asami; K Sumitomo; Y Kido
SURFACE SCIENCE, Jun. 2002, [Reviewed] - Initial oxidation of 6H-SiC(0001)-root 3 x root 3 surface studied by ion scattering combined with photoemission induced by synchrotron-radiation-light
Y Hoshino; T Nishimura; T Yoneda; K Ogawa; H Namba; Y Kido
SURFACE SCIENCE, 2002, [Reviewed] - Surface structure and lattice dynamics of KI(001) studied by high-resolution ion scattering combined with molecular dynamics simulation
T Okazawa; T Nishimura; Y Kido
PHYSICAL REVIEW B, 2002, [Reviewed] - Surface structure and dipole moments of RbI(001) determined by high-resolution medium-energy ion scattering
T Okazawa; Y Hoshino; T Nishimura; Y Kido
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, Nov. 2001, [Reviewed] - Initial oxidation of Si(001)-2 x 1 surface studied by photoelectron spectroscopy coupled with medium energy ion scattering
Y Hoshino; T Nishimura; T Nakada; H Namba; Y Kido
SURFACE SCIENCE, Aug. 2001, [Reviewed] - Surface structure of Y2O3(9.5 mol %)-stabilized ZrO2(001) determined by high-resolution medium-energy ion scattering
T Nishimura; H Toi; Y Hoshino; E Toyoda; Y Kido
PHYSICAL REVIEW B, Aug. 2001, [Reviewed] - Estimation of the electronic straggling using delta-doped multilayers
DW Moon; HI Lee; KJ Kim; T Nishimura; Y Kido
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Jul. 2001, [Reviewed] - Lattice dynamics of RbI(001) surface studied by high-resolution medium energy ion scattering and molecular dynamics simulation
T Okazawa; S Ohno; Y Hoshino; T Nishimura; Y Kido
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Jul. 2001, [Reviewed] - Research on Solid Surfaces at Ritsumeikan SR Center -Beamline SORIS : SOR-light Induced Photoemission Spectroscopy Coupled with Ion Scattering-
KIDO Yoshiaki; NISHIMURA Tomoaki; NAMBA Hidetoshi
J. Surf. Sci. Soc. Jpn., Apr. 2001 - Dipole moments of the top and second layer ions of RbI(001) surface determined by high-resolution medium energy ion scattering
T Okazawa; Y Hoshino; T Nishimura; Y Kido
SURFACE SCIENCE, Feb. 2001, [Reviewed] - Dipole moments of the top and second layer ions of RbI(0 0 1) surface determined by high-resolution medium energy ion scattering
Okazawa, T.; Hoshino, Y.; Nishimura, T.; Kido, Y.
Surface Science, 2001 - Oxidation processes for Si(111)-7 x 7 surfaces analyzed in situ by synchrotron-radiation-induced photoemission and medium energy ion scattering
T Nishimura; Y Hoshino; H Namba; Y Kido
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2001, [Reviewed] - Charge state of medium-energy He ions after large-angle single collisions
Y Kido; T Nishimura; Y Hoshino; E Toyoda; T Nakada
PHYSICAL REVIEW B, 2001, [Reviewed] - Correction of Ziegler's stopping powers of Al, Si and their oxides for MeV He ions
Y Hoshino; T Okazawa; T Nishii; T Nishimura; Y Kido
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Nov. 2000, [Reviewed] - Initial oxidation of Si(111)-7 x 7 surfaces studied by photoelectron spectroscopy combined with medium energy ion scattering
T Nishimura; Y Hoshino; H Namba; Y Kido
SURFACE SCIENCE, Aug. 2000, [Reviewed] - Surface peaks observed for medium energy He ions backscattered from amorphous solids
T Nishimura; Y Hoshino; Y Kido
SURFACE SCIENCE, May 2000, [Reviewed] - Surface structures of SrTiO3(001) and Ni/SrTiO3(001) studied by medium-energy ion scattering and SR-photoelectron spectroscopy
Y Kido; T Nishimura; Y Hoshino; H Namba
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, Mar. 2000, [Reviewed] - Rumpled relaxation of TiC(001) and TaC(001) determined by high-resolution medium-energy ion scattering spectroscopy
Y Kido; T Nishimura; Y Hoshino; S Otani; R Souda
PHYSICAL REVIEW B, Jan. 2000, [Reviewed] - Surface relaxation and rumpling of TiO2-terminated SrTiO3(001) determined by medium energy ion scattering
A Ikeda; T Nishimura; T Morishita; Y Kido
SURFACE SCIENCE, Aug. 1999, [Reviewed] - Anomalous surface peaks observed in the backscattering spectra from amorphous Si and SiO2 films for medium energy He ions
Y Kido; T Nishimura; F Fukumura
PHYSICAL REVIEW LETTERS, Apr. 1999, [Reviewed] - Structure change of TiO2-terminated SrTiO3(001) surfaces by annealing in O-2 atmosphere and ultrahigh vacuum
T Nishimura; A Ikeda; H Namba; T Morishita; Y Kido
SURFACE SCIENCE, Feb. 1999, [Reviewed] - Direct detection of H(D) on Si(001) and Si(111) surfaces by medium-energy recoil spectroscopy
T Nishimura; A Ikeda; T Koshikawa; T Yasue; Y Kido
SURFACE SCIENCE, Jul. 1998, [Reviewed] - A new toroidal electrostatic analyzer and application to surface analysis
T Nishimura; A Ikeda; Y Kido
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, Apr. 1998, [Reviewed] - A novel analysis system of synchrotron-orbital-radiation-light induced photoemission coupled with ion scattering: SORI
Y Kido; H Namba; T Nishimura; A Ikeda; Y Yan; A Yagishita
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1998, [Reviewed] - Compact vacuum-ultraviolet beamline for synchrotron radiation photoelectron spectroscopy combined with an ion-scattering spectrometer, SORIS
H Namba; M Obara; D Kawakami; T Nishimura; YL Yan; A Yagishita; Y Kido
JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION, 1998, [Reviewed] - Surface relaxation and rumpling of RbI(001) determined by medium energy ion scattering
T Nishimura; A Ikeda; H Namba; Y Kido
SURFACE SCIENCE, 1998, [Reviewed] - Superior properties of NdBa(2)Cu(3)Oy over YBa2Cu3Ox thin films
M Badaye; JG Wen; K Fukushima; N Koshizuka; T Morishita; T Nishimura; Y Kido
SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, Nov. 1997, [Reviewed] - Kinetics and depth distributions of oxygen implanted into Si analyzed by the Monte Carlo simulation of extended TRIM
T Yoneda; K Kajiyama; F Tohjou; Y Yoshioka; A Ikeda; Y Kisaka; T Nishimura; Y Kido
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1997, [Reviewed] - Cross sections for O-16(He,He)O-16 resonant elastic scattering and application to elemental analysis of YBa2Cu4O8 and Nd1+xBa2-xCu3O7-delta films grown on SrTiO3
T Nishimura; Y Kido; M Badaye; Y Yoshida; F Wang; T Morishita; M Kumagai
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Jan. 1996, [Reviewed] - SOLID-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF GE ON H-TERMINATED AND OXIDIZED SI(100) SURFACES
Y KIDO; T NISHIMURA; Y FURUKAWA; Y NAKAYAMA; T YASUE; T KOSHIKAWA; PC GOPPELTLANGER; S YAMAMOTO; ZQ MA; H NARAMOTO; T UEDA
SURFACE SCIENCE, 1995, [Reviewed]
- Ion scattering studies of high-K gate stacks.
E Garfunkel; D Starodub; S Sayan; L Goncharova; T Gustafsson; D Vanderbilt; RA Bartynski; YJ Chabal; T Nishimura
ABSTRACTS OF PAPERS OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2003
■ Lectures, oral presentations, etc.
- 金属の照射損傷構造に及ぼす荷電粒子のパルス照射の効果
義家敏正,入江洸介,木野村淳,堀史説,西村智朗
京都大学複合原子力科学研究所専門研究会「陽電子科学とその理工学への応用」, 08 Dec. 2023 - 4H-SiC(0001)へのAlチャネリングイオン注入に対する電子阻止断面積の再評価
望月和浩、西村智朗、三島友義
第70回応用物理学会春季学術講演会, 16 Mar. 2023, 応用物理学会 - リンドープn形ダイヤモンドへのホウ素イオン注入によるp形伝導層の形成
小倉政彦、西村智朗、加藤宙光、竹内大輔、山崎聡、牧野俊晴
第70回応用物理学会春季学術講演会, 16 Mar. 2023, 応用物理学会 - 4H-SiCへのチャネリングイオン注入における臨界角のシミュレーション
西村智朗
第70回応用物理学会春季学術講演会, 16 Mar. 2023, 応用物理学会 - WBG半導体におけるイオン注入
西村智朗
先進パワー半導体分科会第9回講演会 チュートリアル講演, 19 Dec. 2022, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会, [Invited] - Lanthanoid Implanted GaN with Enhanced Photon Emission for Nanophotonic Applications
S. Sato; T. Oto; S. Li; M. Deki; T. Nishimura; T. Ohshima; H. Watanabe; S. Nitta; Y. Honda; H. Amano; B. C. Gibson; A. D. Greentree
The 32nd Annual Meeting of MRS-J, 05 Dec. 2022 - Channeled Ion Implantation of Mg into GaN and Development of the Simulation Program
T. Nishimura; T. Kachi
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022), 10 Oct. 2022 - MoS2の蛍光における鉄イオンビーム照射の影響 19p-P01-9 18a-Z15-3
日高拓海; 高井和之; 西村智朗
第68回応用物理学会春季学術講演, 19 Mar. 2021, 応用物理学会 - GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入(IV) 18a-Z15-3
西村智朗; 池田清治; 加地徹
第68回応用物理学会春季学術講演, 18 Mar. 2021, 応用物理学会 - Quantum Sensing Using Lanthanoid Doped Gallium Nitride
S. Sato; M. Deki; T. Nishimura; S. Li; H. Watanabe; S. Nitta; Y. Honda; B. Gibson; A. Greentree; H. Amano; T. Ohshima
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2021), Mar. 2021, [Invited] - Effect of iron ion beam irradiation on MoS2 fluorescence
T. Hidaka; T. Nishimura; K. Takai
The 60th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium (FNTG60), Mar. 2021 - GaNへのMgチャネリング注入とそのシミュレーション手法
西村智朗; 池田清治; 加地徹
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第７回個別討論会, 16 Nov. 2020, [Invited] - Enhanced Photo Extraction from Praseodymium Ions Implanted with Gallium Nitride Nanopillars
S. Sato; S. Li; M. Deki; T. Nishimura; H. Watanabe; S. Nitta; Y. Honda; B. Gibson; A. Greentree; H. Amano; T. Ohshima
4th QST International Symposium -Innovation from Quantum Materials Science-, Nov. 2020 - GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入(III) 11a-Z04-6
西村智朗; 池田清治; 加地徹
第81回応用物理学会秋季学術講演, 11 Sep. 2020, 応用物理学会 - ハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物薄膜におけるイオン照射効果(IV) 15a-A402-6
緒方啓典; 西村智朗; 梅田龍介
第67回応用物理学会春季学術講演, 15 Mar. 2020, 応用物理学会 - 窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅 14a-A303-1
佐藤真一郎; 出来真斗; 李铄; 渡邉浩崇; 新田州吾; 本田善央; 西村智朗
第67回応用物理学会春季学術講演, 14 Mar. 2020, 応用物理学会 - GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入(II) 13a-PA9-14
西村智朗; 池田清治; 加地徹
第67回応用物理学会春季学術講演, 13 Mar. 2020, 応用物理学会 - エピタキシャルグラフェンに導入した欠陥の化学構造の制御および電子物性への影響 12a-PA2-30
石黒康志; 小幡吉徳; 西村智朗; 高井和之
第67回応用物理学会春季学術講演, 12 Mar. 2020, 応用物理学会 - Photon emission enhancement of praseodymium ions implanted with GaN nanopillars
S. Sato; M. Deki; S. Li; A. D. Greentree; B. C. Gibson; T. Nishimura; T. Ohshima
International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN), Feb. 2020 - EFFECT OF Mg ION IMPLANTATION TO GaN SUBSTRATE UNDER CHANNELING CONDITION
T. Nishimura; K. Ikeda; T. Nakamura; T. Kachi
23rd International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions (IISC-23), Nov. 2019 - Generation of p-type conductive layer by boron ion implantation into phosphorus-doped n-type diamond
M. Ogura; T. Nishimura; H. Kato; T. Makino; S. Yamasaki
30th International Conference on Diamond and Carbon Materials, Sep. 2019 - GaN基板へのMgのチャネリングイオン注入 19p-PB3-17
西村智朗; 池田清治; 中村徹; 加地徹
第80回応用物理学会秋季学術講演, Sep. 2019, 応用物理学会 - ハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物薄膜におけるイオン照射効果(III) 19p-E101-12
緒方啓典; 西村智朗; 伊東和範; 小林敏弥; 牛膓雅人; 深澤祐輝; 梅田龍介
第80回応用物理学会秋季学術講演, Sep. 2019, 応用物理学会 - イオン注入ノーマリーオフGaN DMOSFET(2) 19a-E301-3
吉野理貴; 安藤悠人; 出来真斗; 鳥谷部達; 栗山一男; 本田善央; 西村智朗; 天野浩; 加地徹; 中村徹
第80回応用物理学会秋季学術講演, Sep. 2019, 応用物理学会 - ハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物薄膜におけるイオン照射効果(II) 11a-S221-1
緒方啓典; 西村智朗; 竹内大将; 伊東和範; 小林敏弥; 牛膓雅人; 深澤祐輝; 梅田龍介
第66回応用物理学会春季学術講演, Feb. 2019, 応用物理学会 - イオン注入ノーマリーオフGaN DMOSFET 9p-M121-8
吉野理貴; 安藤悠人; 出来真斗; 鳥谷部達; 栗山一男; 本田善央; 西村智朗; 天野浩; 加地徹; 中村徹
第66回応用物理学会春季学術講演, Feb. 2019, 応用物理学会 - ハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物薄膜におけるイオン照射効果 21a-432-2
緒方啓典; 西村智朗; 竹内大将; 木内宏弥; 伊東和範; 小林敏弥; 牛膓雅人; 深澤祐輝
第79回応用物理学会秋季学術講演, Sep. 2018, 応用物理学会 - 窒化ガリウムの微小領域にイオン注入したプラセオジム(Pr)の発光観測 20p-235-9
佐藤真一郎; 出来真斗; 中村徹; 西村智朗; 大島武
第79回応用物理学会秋季学術講演, Sep. 2018, 応用物理学会 - ラザフォード後方散乱法によるZnイオン注入GaN単結晶内の格子変位評価 18p-P6-16
久保田恭平; 西村智朗; 栗山一男; 中村徹
第80回応用物理学会秋季学術講演, Mar. 2018, 応用物理学会 - ラザフォード後方散乱法及び弾性反跳法によるGaN単結晶の格子変位と残留水素の評価 18p-P6-15
佐藤一樹; 串田一雅; 西村智朗; 栗山一男; 中村徹
第65回応用物理学会春季学術講演, Mar. 2018, 応用物理学会 - Reduction of contact resistance by Si+-implanted GaN and structural evaluations of Ti/Al electrodes by RBS
Tomoaki Nishimura; Takeshi Kasai; Tomonori Mishima; Kazuo Kuriyama; Tohru Nakamura
23th International Conference on Ion Beam Analysis, Oct. 2017 - TEM観察によるMgイオン注入GaN結晶の結晶性評価 6a-C17-5
高橋和照; 新宮一恵; SHARMA Udit; 中村徹; 池田清治; 西村智朗; 三島友義
第78回応用物理学会秋季学術講演, Aug. 2017, 応用物理学会 - RBSによるMgイオン注入GaN結晶のダメージ評価 6a-C17-4
新宮一恵; 高橋和照; TSENG Daniel; 中村徹; 池田清治; 西村智朗; 三島友義
第78回応用物理学会秋季学術講演, Aug. 2017, 応用物理学会 - Ti/Al電極を用いたSi注入GaNの低コンタクト抵抗化とアニール後の電極構造分析 6a-C17-3
西村智朗; 葛西武; 三島友義; 栗山一男; 中村徹
第78回応用物理学会秋季学術講演, Aug. 2017, 応用物理学会 - High and medium energy backscattering analysis using computer simulation program
Tomoaki Nishimura
The Scientific International Symposium on SIMS and Related Techniques Based on Ion-Solid Interactions (SISS-18), 21 Jul. 2016, [Invited] - 水素イオン注入KNbO3バルク単結晶中の水素の挙動:弾性反跳分析評価 21P-P8-5
鶴岡遼太郎; 新川輝; 西村智朗; 田沼千秋; 栗山一男; 串田一雅
第63回応用物理学会春季学術講演, Mar. 2016, 応用物理学会 - CF4プラズマ処理を用いた4H-SiC(0001)上グラフェンの特性評価 14A-2T-8
椎名裕亮; 西村智朗; 中村徹
第76回応用物理学会秋季学術講演, Aug. 2015, 応用物理学会 - Computer simulation code for medium energy ion scattering and Rutherford backscattering spectroscopy
Tomoaki Nishimura
22th International Conference on Ion Beam Analysis, Jun. 2015 - 中エネルギーイオン散乱及びラザフォード後方散乱分析用シミュレーションプログラムの開発
日本物理学会 第70回年次大会, 領域１シンポジウム, 22 Mar. 2015, 日本物理学会 - イオン照射によるナノカーボン材料の欠陥構造の制御およびOne‐step電着法によるPtナノ粒子の担持状態の解析 12P-D6-13
早瀬勝平; 吉竹晴彦; 西村智朗; WANG Zhipeng; 緒方啓典
第62回応用物理学会春季学術講演, Feb. 2015, 応用物理学会 - イオン照射した炭素材料へのPtナノ粒子の担持およびメタノール酸化活性評価 19A-B1-9
早瀬勝平; 吉竹晴彦; 西村智朗; WANG Zhipeng; 緒方啓典
第75回応用物理学会秋季学術講演, Sep. 2014, 応用物理学会 - プラズマ処理によるイオン注入4H-SiC上のp-typeグラフェン層の形成 18A-PA3-5
椎名裕亮; 青柳大輝; 西村智朗; 中村徹
第75回応用物理学会秋季学術講演, Sep. 2014, 応用物理学会 - GrapheneGrown on Ion-Implanted 4H-SiC and an Effect of Pre-Plasma Treatment
Toru Sugimachi; Yusuke Shiina; Daiki Aoyagi; Tomoaki Nishimura; Tohru Nakamura
2014 Materials Research Society Spring Meeting, Apr. 2014 - イオン注入4H-SiC表面におけるグラフェン成長とプラズマ処理効果 16P-P7-8
杉町徹; 青柳大輝; 西村智朗; 中村徹
第74回応用物理学会秋季学術講演, Aug. 2013, 応用物理学会 - IBIECによる再結晶化後のアニールによるSi1-xGex/Siの逆アニール現象 19A-A12-4
関根渉; 西村智朗; 山本康博
第74回応用物理学会秋季学術講演, Aug. 2013, 応用物理学会 - a-Ge/Sn/Ge基板における結晶化とSn再分布 27P-G20-6
東條友樹; 木下侑紀; 松村亮; 西村智朗; 佐道泰造; 宮尾正信
第60回応用物理学会春季学術講演, Mar. 2013, 応用物理学会 - IBIECとSPEGによるSiGe/Siの再結晶化 29A-B2-1
関根渉; 粟根和隆; 西村智朗; 山本康博
第60回応用物理学会春季学術講演, Mar. 2013, 応用物理学会 - Electrical Properties between Graphite and p-/n- Type 4H-SiC
A. Matsui; T.Sugimachi; T. Nishimura; T. Nakamura
9th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ESCRM 2012), Sep. 2012 - 熱処理後の4H-SiC表面の導電性 11P-F2-11
杉町徹; 松井章; 西村智朗; 中村徹
第73回応用物理学会学術講演会講, Aug. 2012, 応用物理学会 - Cross sections for medium energy He ions scattered from Ni, Hf and Au
Tomoaki Nishimura; Kei Mitsuhara; Anton Visikovskiy; Yoshiaki Kido
6th High Resolution Depth Profiling, Jun. 2011 - 高励起39Kおよび85Rbリドベルグ原子のシュタルク特性
宇田純郎; 新井敏一; 池田真也; 今井憲一; 五十棲泰人; 福田昭; 舟橋春彦; 加藤隆久; 城戸義明; 松木征史; 松原明; 水崎隆雄; 中西玲於奈; 西村智朗; SAEED M; 澤田安樹; 高橋義朗; 戸崎充男; 大澤大輔; 山本克治
第65回日本物理学会, Aug. 2010, 日本物理学会 - 動的カシミヤ効果検証実験:実験計画・装置
榊原尚; 冨田稔久; 井川秀彦; 濱田遼介; NAYLOR Wade; 西村智朗; 山本克治; 城戸義明; 松木征史
第65回日本物理学会, Aug. 2010, 日本物理学会 - Electrical and structural properties of polycrystalline 3C-SiC layer regrown from amorphized 4H-SiC(0001) by P and Al ion implantations
T. Nishimura; M. Satoh; T. Jinushi; Y. Saitou; T. Nakamura
17th International Conference on Ion Beam Modification of Materials, Aug. 2010 - 高励起39Kおよび85Rbリドベルグ原子のシュタルク特性 25pRD-11 (25pRD 量子エレクトロニクス(量エレ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
宇田 純郎; 松木 征史; 松原 明; 水崎 隆雄; 中西 玲於奈; 西村 智朗; Saeed M; 澤田 安樹; 高橋 義朗; 戸崎 充男; 大澤 大輔; 新井 敏一; 山本 克治; 池田 真也; 今井 憲一; 五十棲 泰人; 福田 昭; 舟橋 春彦; 加藤 隆久; 城戸 義明
日本物理学会講演概要集, 2010, 一般社団法人 日本物理学会 - 動的カシミヤ効果検証実験 : 実験計画・装置23pRF-4 (23pRF 量子エレクトロニクス(量子光学・量子推定・量子暗号),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
榊原 尚; 冨田 稔久; 井川 秀彦; 濱田 遼介; Naylor Wade; 西村 智朗; 山本 克治; 城戸 義明; 松木 征史
日本物理学会講演概要集, 2010, 一般社団法人 日本物理学会 - 金ナノ粒子とSrTiO3(001)及びTiO2(110)基板界面における電荷移動
光原圭; 橘堂恭昌; VISIKOVSKIY A; 松本悠志; 滝沢優; 西村智朗; 秋田知樹; 城戸義明
第64回日本物理学会, Aug. 2009, 日本物理学会 - 高分解能イオン散乱と第1原理計算によるNiAl(110)表面の構造・ダイナミクスの解析
小北哲也; 西村智朗; 香山正憲; 城戸義明
第64回日本物理学会, Aug. 2009, 日本物理学会 - 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発 II
濱田遼介; 西村智朗; 松木征史; 城戸義明
第64回日本物理学会, Mar. 2009, 日本物理学会 - 酸化物・グラファイト上に担持した金ナノ粒子に対する終状態効果
橘堂恭昌鞠; 岩本章伸; 松本悠志; 光原圭; 西村智朗; 秋田知樹; 前田泰; 城戸義明
第64回日本物理学会, Mar. 2009, 日本物理学会 - Site identification of GaN using preferential scattering effect along [1100] axis
T. Nishimura; M. Satoh; K. nomoto; T. Nakamura; T. Mishima
19th International Conference on Ion Beam Analysis, 2009 - 高励起リドベルグ原子を用いた固体表面の極微電界検出システム
西村智朗; 濱田遼介; 松木征史; 城戸義明
第49回真空に関する連合講演会, Oct. 2008, 日本真空学会, [Invited] - 高励起原子(リドベルグ原子)を用いた極微弱表面電場計測手法の開発 I
西村智朗; 濱田遼介; 松木征史; 城戸義明
第63回日本物理学会, Aug. 2008, 日本物理学会 - 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程
渋谷誠; 星野靖; 西村智朗; 城戸義明
第63回日本物理学会, Aug. 2008, 日本物理学会 - TiO2(110)及びSrTiO3(001)上のAu超微粒子の成長過程と電子状態
橘堂恭昌; 岩本章信; 光原圭; 岡沢哲晃; 西村智朗; 城戸義明
第63回日本物理学会, Aug. 2008, 日本物理学会 - NiAl(110)上に形成された極薄Al2Ox膜の構造解析
西村智朗; 佐藤拓也; 小北哲也; 星野靖; 岡沢哲晃; 城戸義明
第63回日本物理学会, Feb. 2008, 日本物理学会 - 中エネルギーH,Heイオンの固体最表面での荷電変換
橘堂恭昌; 硲正明; 星野靖; 西村智朗; 城戸義明
第63回日本物理学会, Feb. 2008, 日本物理学会 - Ultra-thin Aluminum Oxide Layers Studied by Medium Energy Ion Scattering Combined with Photoelectron Spectroscopy
T. Nishimura; T. Sato; T. Kokita; Y. Kido
6th International on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices, Oct. 2007 - 6H-SiC(0001)-3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造
星野靖; 大川貴宏; 西村智朗; 城戸義明
第62回日本物理学会, Aug. 2007, 日本物理学会 - NiSi2(001)/Si(001)の表面構造解析
西村智朗; 竹田純子; 城戸義明
第62回日本物理学会, Aug. 2007, 日本物理学会 - 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAl(110)表面構造解析
小北哲也; 岡沢哲晃; 星野靖; 西村智朗; 城戸義明
第62回日本物理学会, Aug. 2007, 日本物理学会 - Ni(111)上の極薄Au膜成長とO2,NOの吸着
岩本章伸; 橘堂恭昌; 岡沢哲晃; 星野靖; 西村智朗; 城戸義明
第62回日本物理学会, Aug. 2007, 日本物理学会 - Atomic Structure of NiSi2(001) Surface Determined by High-resolution Low and Medium Energy Ion Scattering
T. Nishimura; J. Takeda; Y. Kido
13th International Conference on Surface Science, Jul. 2007 - Ru/HfO2膜の18O2雰囲気中及び真空中加熱による変化
西村智朗; 谷垣剛史; 城戸義明; 岩本邦彦; 生田目俊秀; 鳥海明
第53回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2006, 応用物理学会 - MEISによるHigh-k薄膜分析
第６回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会, Dec. 2005 - Atomic and Electric Structure of Ni Deposited on Si(111) at Room Temperature and Epitaxially Grown B-type NiSi2(111) on Si(111)
T. Nishimura; J. Takeda; Y. Asami; Y. Hoshino and Y. Kido
5th International on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices, Dec. 2005 - Ru/HfO2の中エネルギーイオン散乱,光電子分光による評価
西村智朗; 谷垣剛司; 城戸義明; 門島勝; 生田目俊秀; 鳥海明
第66回応用物理学会学術講演会講, Sep. 2005, 応用物理学会 - d-Al-Ni-Co準結晶表面の電子状態と構造
鈴木拓; SHARMA H R; 下田正彦; 西村智朗; 倉橋光紀; 山内泰; TSAI A‐P
第65回応用物理学会学術講演会講, Sep. 2004, 応用物理学会 - (HfO2/Al2O3)3/SiO2,(HfO2/Al2O3)3/SiNx膜のUHV中高温加熱による構造変化の違い
西村智朗; 富永浩二; 岩本邦彦; 安田哲二; 生田目俊秀; 鳥海明; 岡沢哲晃; 津田敦史; 城戸義明
第51回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2004, 応用物理学会 - 界面層膜厚の増加を抑制した高温アニール処理によるHfAlOx(N)膜の電気特性改善
岩本邦彦; 西村智朗; 富永浩二; 安田哲二; 生田目俊秀; 鳥海明
第51回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2004, 応用物理学会 - Effect of Nitrogen Incorporation into HfAlOx Films on Gate Leakage Current From XPS Study of Hf Bonding States
T. Nishimura; K. Iwamoto; K. Tomonaga; T. Yasuda; W. Mizubayashi; S. Fujii; T. Nabatame; A. Toriumi
International Workshop on Gate Insulator 2003, Nov. 2003 - Wet Etching Characteristics of Both As-deposited and Annealed Al2O3 and HfAlOx Films
T. Nishimura; R. Kuse; K. Tominaga; T. Nabatame; A. Toriumi
2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sep. 2003 - ALD法によるHfAlOx複合酸化膜の形成過程‐超周期膜の構造変化‐
富永浩二; 岩本邦彦; 西村智朗; 安田哲二; 生田目俊秀; 鳥海明
第64回応用物理学会学術講演会講, Aug. 2003, 応用物理学会 - リン酸によるAl2O3の活性化型エッチング特性と熱処理前後での変化
西村智朗; KUSE R; 富永浩二; 岩本邦彦; 生田目俊秀; 鳥海明
第64回応用物理学会学術講演会講, Aug. 2003, 応用物理学会 - NH3アニールを用いたLL-D&A法により形成したHfAlON膜中の窒素分布と結合状態への影響
岩本邦彦; 富永浩二; 西村智朗; 安田哲二; 木本浩司; 生田目俊秀; 鳥海明
第64回応用物理学会学術講演会講, Aug. 2003, 応用物理学会 - Si(001)-2×1表面の初期酸化過程の光電子分光・イオン散乱分析
西村智朗; 星野靖; 小川浩二; 難波秀利; 城戸義明
第62回応用物理学会学術講演会講, Sep. 2001, 応用物理学会 - Oxidation Processes for Si(111)-7x7 Surfaces Analyzed in situ by Synchrotron-radiation-induced Photoemission and Medium Energy Ion Scattering
T. Nishimura; Y. Hoshino; H. Namba; Y. Kido
7th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation, Aug. 2000 - 中エネルギーイオン散乱によるTiC(001),TaC(001)表面緩和とランプリングの決定
星野靖; 西村智朗; 左右田龍太郎; 大谷茂樹; 城戸義明
第54回日本物理学会, Sep. 1999, 日本物理学会 - Surface Peak Observed in Backscattering Spectra from Amorphous Targets from Medium Energy He Ions
T. Nishimura; Y. Kido
18-th International Conference on Atomic Collisions in Solid, Aug. 1999 - a-Si/Si(111),SiO2/Si(001)及びGraphiteからの後方散乱表面ピークの解析
城戸義明; 福村文裕; 西村智朗
第54回日本物理学会, Mar. 1999, 日本物理学会 - SrTiO3(001)表面の中エネルギーイオン散乱・光電子分光分析
西村智朗; 難波秀利; 森下忠隆; 城戸義明
第54回日本物理学会, Mar. 1999, 日本物理学会 - Surface Lattice Dynamics Studied by Medium Energy Ion Scattering
T. Nishimura; A. Ikeda; Y. Kido
10-th International Conference on Solid Surfaces, Aug. 1998 - RbI(001)の表面構造・格子振動の分子動力学計算
大野滋; 池田敦; 西村智朗; 城戸義明
第53回日本物理学会, Mar. 1998, 日本物理学会 - RbI(001)表面緩和の中エネルギーイオン散乱による分析
西村智朗; 池田敦; 井元建氏; 大野滋; 城戸義明
第53回日本物理学会, Mar. 1998, 日本物理学会 - 中エネルギー反跳H検出法によるSi表面水素の分析
池田敦; 西村智朗; 井元健氏; 越川孝範; 安江常夫; 城戸義明
日本物理学会, Sep. 1997, 日本物理学会 - 立命館大学放射光複合ビームライン SORIS-II 高分解能中エネルギー散乱
城戸義明; 西村智朗; 池田敏; 難波秀利
日本物理学会, Sep. 1997, 日本物理学会 - 立命館大学放射光複合ビームライン SORIS-I 放射光利用光電子分光
難波秀利; 小原誠; 川上大祐; 西村智朗; 岩井秀夫; YAN Y; 柳下明
日本物理学会, Sep. 1997, 日本物理学会 - 中エネルギーイオン散乱分光によるTiO2終端SrTiO3(001)表面構造の分析
渡辺壮俊; 池田敦; 西村智朗; 福村文裕; 森下忠隆; 城戸義明
第58回応用物理学会学術講演会講, Jan. 1997, 応用物理学会 - 中エネルギーイオン散乱/反跳による水素・重水素終端Si表面の分析
西村智朗; 池田敦; 木坂由明; 安江常夫; 越川孝範; 城戸義明
第58回応用物理学会学術講演会講, Jan. 1997, 応用物理学会 - 立命館大学放射光複合ビームライン SORIS
城戸義明; 西村智朗; 池田敦; 難波秀利
第58回応用物理学会学術講演会講, Jan. 1997, 応用物理学会 - Si表面・界面における水素・重水素の挙動解析
西村智朗; 古川嘉識; 井元健氏; 木坂由明; 城戸義明
第57回応用物理学会学術講演会講, Sep. 1996, 応用物理学会 - 波長分散PIXEによるYBa2Cu3O7-xの組成分析
かけい泰典; 西村智朗; 城戸義明; 森下忠隆
第57回応用物理学会学術講演会講, Sep. 1996, 応用物理学会 - 16O(α,α)16O共鳴弾性散乱による高温超伝導薄膜の分析
西村智朗; 城戸義明; 吉田幸久; BADAYE M; WANG F; 森下忠隆
第56回応用物理学会学術講演会講, Aug. 1995, 応用物理学会 - 水素終端及び酸化物終端したSi(100)上Geの固相エピタキシャル成長
古川嘉識; 西村智朗; 城戸義明; 安江常夫; 越川孝範; 楢本洋
第42回応用物理学関係連合講演会, Mar. 1995, 応用物理学会 - 16O(α,α)16O共鳴散乱微分断面積の角度依存性
西村智朗; 城戸義明; 森下忠隆; CHIN C‐C
第55回応用物理学会学術講演会講, Sep. 1994, 応用物理学会
■ Research Themes
- Effect of pulse irradiation of charged particles on the evolution of damage structures
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Kyoto University
Apr. 2022 - Mar. 2025 - ダイヤモンドパワーデバイス実現に向けたイオン注入プロセスに関する研究
基盤研究(B)
Apr. 2020 - Mar. 2025 - 量子センサーの電気的制御を室温で実現するランタノイド注入GaNダイオード
基盤研究(B)
Apr. 2018 - Mar. 2022
